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在半導(dǎo)體制造業(yè)中,晶圓作為芯片的基礎(chǔ)載體,其表面質(zhì)量直接決定了最終產(chǎn)品的性能和可靠性。晶圓在生產(chǎn)過程中,由于多種因素的影響,如材料純度、制造工藝、設(shè)備精度等,表面可能會(huì)出現(xiàn)各種缺陷,如劃痕、顆粒污染、裂紋、氧化層異常等。這些缺陷不僅會(huì)降低芯...
輪廓儀,是一種常用的測(cè)量工具,用于精確復(fù)制和測(cè)量不規(guī)則物體的輪廓形狀。它廣泛應(yīng)用于木工、金屬加工、裝修和模具制造等領(lǐng)域。本文將詳細(xì)介紹輪廓儀的使用方法和注意事項(xiàng),以幫助讀者更好地掌握這一實(shí)用工具。一、輪廓儀的使用方法1.準(zhǔn)備工作:在使用儀器之前,確保物體表面干凈,無塵和雜質(zhì),以免影響測(cè)量結(jié)果。2.調(diào)節(jié)高度:根據(jù)待測(cè)物體的高度,通過旋鈕將基座調(diào)節(jié)到合適的高度,使針頭能夠接觸到物體表面。3.復(fù)制輪廓:將儀器平放在待測(cè)物體上,確保針頭接觸物體表面,并輕輕滑動(dòng)儀器,使針頭按照物體曲線...
橢偏儀通過測(cè)量光在介質(zhì)表面反射前后偏振態(tài)變化,獲得材料的光學(xué)常數(shù)和結(jié)構(gòu)信息,具有測(cè)量精度高、非接觸、無破壞且不需要真空等優(yōu)點(diǎn)。橢偏儀的選購(gòu)指南:1、根據(jù)研究或測(cè)試的材料特性來確定光譜范圍,進(jìn)一步選擇適合光源的橢偏儀。對(duì)于透明材料,考慮關(guān)心的折射率光譜區(qū)域;對(duì)于短波吸收、長(zhǎng)波透明材料,如果關(guān)心吸收區(qū)域折射率及膜厚可擴(kuò)展到紅外透明區(qū)域來先確定薄膜厚度,然后求解折射率。2、入射角方式選擇。橢偏儀多角度測(cè)量可以增加可靠性,但不是總有必要。多角度Z適用于以下幾種場(chǎng)合:多層膜結(jié)構(gòu)、吸收膜...
橢偏儀/橢圓偏振儀是一種用于探測(cè)薄膜厚度、光學(xué)常數(shù)以及材料微結(jié)構(gòu)的光學(xué)測(cè)量?jī)x器?,F(xiàn)在已被廣泛應(yīng)用于材料、物理、化學(xué)、生物、醫(yī)藥等領(lǐng)域的研究、開發(fā)和制造過程中?;驹恚簷E偏儀的原理主要依賴于光的偏振現(xiàn)象。當(dāng)光線通過某些物質(zhì)時(shí),其偏振狀態(tài)會(huì)發(fā)生變化。橢偏儀利用這一特性,通過精確控制入射光的偏振態(tài),并測(cè)量經(jīng)過樣品后光的偏振態(tài)變化,進(jìn)而分析樣品的性質(zhì)。橢偏法測(cè)量具有如下特點(diǎn):1.能測(cè)量很薄的膜(1nm),且精度很高,比干涉法高1-2個(gè)數(shù)量級(jí)。2.是一種無損測(cè)量,不必特別制備樣品,也...
Filmetrics3D光學(xué)輪廓儀是用于對(duì)各種精密器件表面進(jìn)行納米級(jí)測(cè)量的儀器,它是以白光干涉技術(shù)為原理,光源發(fā)出的光經(jīng)過擴(kuò)束準(zhǔn)直后經(jīng)分光棱鏡后分成兩束,一束經(jīng)被測(cè)表面反射回來,另外一束光經(jīng)參考鏡反射,兩束反射光最終匯聚并發(fā)生干涉,顯微鏡將被測(cè)表面的形貌特征轉(zhuǎn)化為干涉條紋信號(hào),通過測(cè)量干涉條紋的變化來測(cè)量表面三維形貌。Filmetrics3D光學(xué)輪廓儀具有3倍於于其成本儀器的次納米級(jí)垂直分辨率,Profilm3D同樣使用了現(xiàn)今高分辨率之光學(xué)輪廓儀的測(cè)量技術(shù)包含垂直掃描干涉(V...
硅片電阻率測(cè)試模組是一款測(cè)量圓柱晶體硅電阻率測(cè)試儀器,可測(cè)量硅芯,檢磷棒,檢硼棒,籽晶等,由于儀器大大消除了珀?duì)柼?yīng)、塞貝克效應(yīng)、少子注入效應(yīng)等負(fù)效應(yīng)的影響,因此測(cè)試精度大大提高,量程實(shí)現(xiàn)了電阻率從10-4歐姆.厘米到10+4歐姆.厘米(可擴(kuò)展)的測(cè)試范圍。因此儀器具有測(cè)量精度高、穩(wěn)定性好、測(cè)量范圍廣、結(jié)構(gòu)緊湊、使用方便等特點(diǎn)。是西門子法、硅烷法等工藝生產(chǎn)原生多晶硅料的企業(yè)、物理提純生產(chǎn)多晶硅料生產(chǎn)企業(yè)、光伏及半導(dǎo)體材料廠、器件廠、科研部門、高等院校以及需要超大量程測(cè)試電阻...